Producto añadido correctamente al carrito

Cantidad
Total
Continuar comprando

Realizar pago

Eléctrica

Suscribete a nuestro newsletter

Dispositivos electrónicos. Problemas resueltos Ver más grande

Dispositivos electrónicos

Nuevo

Autores: Juan Bautista Roldán, Francisco Jesús Gámiz Pérez
Editorial: Ediciones de la U - Ra-ma Editorial
Edición: Primera, 2011
Formato: Libro
Rústica, 17 x 24 cm
384 páginas
Peso: 0.596 Kg
ISBN: 9789588675473
Clic aquí para ver: ReseñaContenido

Más detalles


COP$ 51.000

Ficha técnica

ISBN9789588675473
Edición1
EditorialEdiciones de la U
Peso0.651
Páginas383
Dimensiones17 x 24 cm.
AutoresJuan Bautista Roldán
Año2011

Más

Reseña. Dispositivos electrónicos. Problemas resueltos

La electricidad es una de las principales fuentes de energía utilizadas en el mundo actual. Sin ella no existiría ni la iluminación como la conocemos hoy, ni las comunicaciones de radio y televisión, ni tampoco Internet. Alejando Volta, con el invento de su pila, consiguió producir corriente eléctrica de forma continua. Éste es el origen de la electrodinámica. Más tarde Oersted demostró experimentalmente la relación entre electricidad y magnetismo. Es este el momento crucial en que surgen las primeras nociones sobre el electromagnetismo, cuyo desarrollo ha permitido algunos de los mayores avances tecnológicos de la Humanidad.
Este libro invita no sólo a conocer los conceptos esenciales de la electricidad desde su manifestación a escala atómica hasta las leyes que rigen el comportamiento de los circuitos, sino también a reflexionar sobre la importancia de la producción y distribución de la electricidad en el desarrollo de los pueblos. Aprenderá, asimismo, a realizar de forma práctica medidas de tensión, resistencia e intensidad con el empleo del polímetro digital.
Para finalizar, encontrará más de una treintena de ejercicios completamente explicados y resueltos para que ponga en práctica los conceptos aprendidos.

Contenido. Dispositivos electrónicos. Problemas resueltos

Prefacio

Capítulo 1
Estados electrónicos y bandas de energía en Semiconductores

1.1 Redes cristalinas I
1.2 Redes cristalinas II
1.3 Índices de miller
1.4 Estructura de bandas I
1.5 Estructura de bandas II
1.6 Estructura de bandas III
1.7 Cálculo de velocidades y masas efectivas
1.8 Transporte de portadores en un campo eléctrico
1.9 Densidad de estados energéticos. Semiconductor Tridimensional
1.10 Densidad de estados energéticos. Semiconductor Bidimensional
1.11 Estadística de semiconductores
1.12 Centros tripolares
1.13 Efecto hall
1.14 Centros profundos
1.15 Generación y recombinación de portadores
1.16 Recombinación auger
1.17 Problemas propuestos

Capítulo 2
Transporte en semiconductores

2.1 Pseudoniveles de fermi
2.2 Tiempos de relajación
2.3 Ecuaciones de continuidad I
2.4 Ecuaciones de continuidad II
2.5 Evolución temporal del exceso de portadoresI
2.6 Ionización por impacto I
2.7 Problemas propuestos

Capítulo 3
La unión metal-semiconductor

3.1 Relación entre cargas, potenciales y corrientes
3.2 Unión metal-semiconductor en circuitos
3.3 Cálculo del potencial en diodos metal-semiconductor
Intrínseco-semiconductor dopado
3.4 Uniones metal-semiconductor óhmicas
3.5 Cálculo de la capacidad de transición. Estudio de los Perfiles de dopado
3.6 Problemas propuestos

Capítulo 4
La unión PN

4.1 Relación entre cargas, potenciales y corrientes
4.2 Modelo de gran señal del diodo, resistencia interna
4.3 Corrientes de generación y recombinación
4.4 Capacidad de la unión pn y cálculo de perfiles de dopado
4.5 Modelo de control de carga, tiempo de almacenamiento
4.6 Problemas propuestos

Capítulo 5
El transistor bipolar

5.1 Cargas y corrientes en el transistor bipolar
5.2 Polarización de transistores pnp
5.3 Modelo de pequeña señal del tb
5.4 Transistor bipolar de deriva, dopado de base no uniforme.Transistores de base gradual
5.5 Rotura en un transistor bipolar por multiplicación en Avalancha y punchthrough
5.6 Problemas propuestos

Capítulo 6
Estructura metal-aislante-semiconductor

6.1 Relación entre carga y potencial
6.2 Fuerte inversión. Tensión umbral
6.3 Débil inversión. Efecto de los estados de superficie
6.4 Capacidades en la estructura mis
6.5 Procesos de generación y recombinación en la
Estructura mis
6.6 Procesos de formación de carga estática en la puerta y Ruptura del aislante de la estructura mis
6.7 Cálculo del potencial en una estructura mis de doble
Puerta simétrica
6.8 Problemas propuestos

Capítulo 7
Transistores de efecto campo

7.1 Transistores de efecto campo de unión I
7.2 Transistor de efecto campo de unión II. Región deSaturación
7.3 Transistor mosfet
7.4 Estudio del efecto cuerpo en transistores mosfet
7.5 Corriente sub-umbral. Mosfet en inversión débil
7.6 Modulación de la longitud del canal
7.7 Saturación de la velocidad de los portadores en el Canal
7.8 Efectos de canal corto y estrecho
7.9 Modelo de pequeña señal
7.10 Mosfet en circuitos
7.11 Transistor mosfet soi
7.12 problemas propuestos

Capítulo 8
Dispositivos optoelectrónicos

8.1 Absorción óptica de un semiconductor
8.2 Fotoconductor
8.3 Células solares I
8.4 Células solares II
8.5 Problemas propuestos

Apéndice A. Tablas
Tabla 1. Constantes físicas en las unidades usuales
Utilizadas en electrónica física y dispositivos electrónicos. Ecuaciones fundamentales
Tabla 2. Símbolos utilizados para representar las distintas
Magnitudes físicas
Tabla 3. Valor de los parámetros más comunes en
Semiconductores usuales en la industria microelectrónica
(sze, 2007; muller y kamins, 1977) a t=300k

Tabla 4.1. Niveles de energía de las impurezas elementales en
Silicio (sze, 2007; muller y kamins, 1977)
Tabla 4.2. Funciones trabajo para metales interesantes en la
Industria microelectrónica
Tabla 4.3. Submúltiplos
Tabla 4.4. Relación de einstein
Tabla 5. Distintas configuraciones de la unión
Metal-semiconductor
Tabla 6. Expresiones útiles para el estudio de la unión PN
Abrupta y lineal
Tabla 7. Expresiones útiles para el estudio del BJT ideal con
Dopado constante en las zonas de emisor, base y colector
Tabla 8. Expresiones útiles para el estudio del MOSFET ideal
Con dopado constante de sustrato

Notas al concepto y la definición de tensión umbral
Apéndice B. Cálculos usuales

B1. Métodos de resolución de ecuaciones no lineales
B2. Teorema de gauss para el cálculo del campo eléctrico en Un semiconductor
B3. Cálculo del campo eléctrico en estructuras donde la
Densidad de carga depende del potencial eléctrico
B4. Cálculo sencillo de diferencias de potencial en una
Estructura semiconductora

Referencias
Índice alfabético

Subir